2021年12月6-7日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳成功举行。论坛以“创芯生态 低碳未来”为主题，紧扣第三代半导体技术及产业创新发展脉搏，聚焦前沿技术及行业趋势，国内外知名专家、领军企业、行业精英代表深度参与，把脉第三代半导体与LED产业商机，共促产业健康有序发展。

　　论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办，北京半导体照明科技促进中心、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司、半导体产业网共同承办。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家第三代半导体技术创新中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会的大力支持。论坛还得到了美国、日本、韩国、欧洲等国家和地区，以及智慧城市、信息显示、医疗健康、生物农业、产教融合、外贸投资等领域相关的近50家组织机构的智力支持，集齐跨地区，跨领域的创新智慧合力，共同召唤产业发展新生态。

　　据了解，本届论坛由全国政协教科卫体委员会副主任、科技部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林与美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、诺贝尔物理学奖得主中村修二分别担任本届大会的中方主席与外方主席，厦门大学校长张荣教授担任程序委员会主席。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲担任大会组委会主任。

　　半导体作为信息产业的基石，近两年一直是各国贸易战的焦点。尤其是进入2020年，发达国家纷纷将半导体技术和产业上升到战略层面。近年来，我国第三代半导体产业逐步由“导入期”向“成长期”过渡，市场日趋活跃，产业链各环节涌现出许多创新力量。国家“双碳”战略的制定和执行，促进了新型电力系统、新能源汽车等产业的快速发展，也给第三代半导体材料和器件提供了更多的市场机遇。国内第三代半导体产业正进入实质性发展期。

　　开幕式上，论坛程序委员会主席、厦门大学校长张荣教授在介绍本次论坛的组织概况时表示，新一轮科技与产业变革正在创造历史性机遇，国家“碳达峰碳中和”战略的制定和执行等多种因素促进我国第三代半导体产业逆势上涨。半导体照明与第三代半导体技术的边界正在不断拓展，两天的时间里，程序委员会和组委会协同汇力，组织了190余个专业报告，共设有超30场次论坛活动。半导体照明与第三代半导体技术的边界正在不断拓展，论坛内容不仅涉及半导体行业，还融通了通信、电源、农业、医疗卫生、汽车等，度跨界兼顾，不同领域碰撞，尽力为业界提供最丰富前沿的信息。

　　▲ 第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲 致开幕词

　　第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲表示，疫情之下，尽管多有波折，但联盟既是产业发展的见证者，也是科技创新的推动者，要承担起自己的责任和使命。论坛不仅是一个交流的平台，更是一个开放的窗口。强大的市场需求始终是产业的活水之源。虽然疫情仍然严峻，但仍能感受到蓬勃的创新力量和时代强劲节拍，行业生生不息，联盟当与时代同频共振，顺势而为。未来也会进一步思考如何行稳致远，如何自我赋能等问题，让业界通过论坛的窗口能有所思、有所得、有所乐。

　　此外，出席开幕大会的嘉宾还有中国科学院院士、南昌大学副校长、教授江风益，中科院特聘研究员、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽，北京大学理学部副主任、教授沈波，中国电子科技集团第48所所长王平，中科院半导体所研究员、前副所长杨富华，国际半导体照明联盟联合秘书长岳瑞生，复旦大学工程与应用技术研究院特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯教授，博世汽车部件苏州有限公司总经理、博世汽车电子中国区总裁Georges Andary，京东方科技集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家袁广才，安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理姜克，华为战略部产业发展总监林雨，芜湖启迪半导体董事长赵清，广东中民工业技术创新研究院有限公司常务副院长闫春辉，广州南砂晶圆半导体技术有限公司董事长王垚浩，中微半导体设备(上海)股份有限公司高级副总裁杜志游，哈尔滨市科技局局长宋博岩、副局长关少男，国家半导体照明工程研发及产业联盟副理事长、中国照明学会原秘书长窦林平等以及来自北京大学、清华大学、复旦大学、学、中山大学、厦门大学、山东大学、中南大学、西安电子科技大学、华南理工大学、深圳大学等众多专家、程序委员会和青年学者，和来自深圳、宁波、厦门等地光电半导体行业协会的负责人;以及来自中民研究院、国星光电、芯聚能、一径科技、旭宇光电、北方华创、瞻芯电子、有研稀土、晶科电子、艾迈斯欧司朗、中科潞安、康美特、大峡谷照明、爱思强、博睿光电、上海三思、能讯、鸿利秉一、罗德与施瓦茨、科友半导体等众多国内外企业的高层领导、技术专家和市场负责人代表;以及来自深圳市、天津市、哈尔滨市、合肥市、长治市、泉州市等地方政府和产业园区代表参与论坛。

　　以第三代半导体材料为基础的新兴技术正迅速崛起，其技术及应用的突破成为全球半导体产业新的战略高地。以碳化硅、氮化镓宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，展现了巨大的市场前景，正成为全球半导体市场争夺的焦点。

　　全国政协教科卫体委员会副主任、科技部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林也通过云视频形式庆祝大会的召开，他表示，第三代半导体是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车，能源互联网、国防军工等产业自主创新发展的重要技术，也是我们产业转型升级和关键材料、关键领域进步的核心器件，是中国最有机会封锁，形成战略优势的领域之一。我们面临着历史性的机遇与挑战，中国发展第三代半导体已经有一定的基础和积累，一是产业链比较完整，具备技术突破和产业发展协同的基础，二是国际半导体产业和装备巨头在第三代半导体领域还没有形成专利、标准和规模的垄断，国内企业还有机会赶上。但是我们的产业生态还不够完善，国际合作下一步也面临着严峻的挑战。本届论坛紧扣国际背景与未来发展趋势，来自各个领域的专家，从前沿技术，产业发展，跨界融合，国际合作等多角度出发，带来丰富多样的思考和分享的机会，希望大家深入交流，凝聚共识，深化合作，为中国的科技创新和产业发展，奉献更多的智慧方案。

　　因疫情原因，大会外方主席、诺贝尔物理学奖得主、美国加州大学圣塔芭芭拉分校中村修二教授特地通过视频形式对论坛的开幕表达了远程的问候，他表示，自从他于2004年参与第一届论坛以来，见证了论坛与半导体照明产业共同成长，并向更广阔的先进半导体领域拓展视野。从诞生之日起论坛就担负了行业风向标的光荣使命，他也衷心祝愿今年的论坛成功，祝愿广大来宾收获良多。

　　中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授在致辞时表示，半导体照明是第三代半导体发展时间较长、产业相对成熟的一个领域，在我国已经取得了很大进步，已确立了在照明领域的主导地位。我国已经成为LED照明产品最大生产国、最大出口国和最大消费国，其应用节电效果，已经超过了三峡发电量，为节能减排做出了重大贡献。各界的努力做出了历史性贡献。但是，LED照明技术远未达到成熟阶段。由多基色发光芯片合成的纯LED照明技术，不但可以节约稀土这一战略性资源，未来在光效和光品质方面，还具有更大的发展潜力。除长波长外，短波长LED也是近些年来第三代半导体材料光电领域的发展热点。由于深紫外LED具有消毒杀菌能力，在近两年的新冠疫情期间，获得了高度关注和部分应用。今后，如何大幅提升其电光转换效率，值得行业专家奋发努力。Micro-LED在显示、AR/VR、光通信、生物和医疗等领域具有广泛的市场应用前景，如何提升其综合性能和制造合格率，成为行业的热点难题。

　　科技部高新技术司副司长雷鹏通过云视频为大会致辞，他表示，近期以美欧为首的发达国家加紧了对新一轮第三代半导体的布局，意在增强其对该领域的垄断。在国家科技计划的持续支持下，我国初步建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链条。”十二五”，“十三五”期间基本解决了有无问题，”十四五“重点解决能用，好用及可持续创新能源问题。建议持续跟踪世界半导体技术发展的趋势和主要国家半导体产业发展的动向。进一步加强半导体相关技术研发布局，既要重视卡脖子关键技术，又要重视基础研究、原始创新、颠覆性前沿技术。同时既要不断完善我国第三代半导体产业发展的布局和生态，又要积极融入全球半导体产业的生态体系。

　　开幕式上，2021年国际半导体照明联盟(ISA)“全球半导体照明突出贡献奖”评选揭晓，在Micro-LED领域做出突出贡献的美国德州理工大学纳米光电子研究中心主任江红星教授与英国思克莱德大学Martin David Dawson教授获此殊荣。

　　开幕大会主题论坛环节，五大重量级报告亮点频出，从不同角度、不同领域分享国际半导体产业新发展、新方向，既有高屋建瓴的格局分析，又有最新的趋势判断，亮点频出。中国科学院特聘研究员、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽与北京大学理学部副主任、教授沈波联袂主持了大会主题论坛环节。

　　会上，中国工程院院士、全球能源互联网研究院院长汤广福分享了“加快能源低碳转型 构建新型电力系统”的大会报告，他指出，电力系统是规模最大、结构层次最复杂、强非线性和高维特性的人造系统。我国是世界最大能源消费国，在能源安全供给存在严峻性。面临着新能源发电占比增大，源-网-荷各层级协调困难，用户侧供需互动需求加大，数字化水平不高，体制机制有待创新等多方面挑战。并且，电力系统的发电、输电、变电、配电和用电各个领域，都广泛采用了电力电子装置。未来电力电子装置在电力系统各环节的占比仍将大幅度提升。未来新型电力系统将呈现出电力电源清洁化、电力系统柔性化、电力系统数字化、电力系统电力电子化四大特征趋势。

　　厦门大学校长、张荣教授在“III族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题”的主题报告中指出，宽禁带半导体能带结构随固溶组成变化，实现材料能带结构的“剪裁”。光电子技术服务于国防建设、社会发展、国民经济各个领域，是信息、能源、军事、医疗等领域的核心支撑，保障“中国制造2025”等国家战略的实施。宽禁带半导体可全面支撑光电子技术的可持续发展，依技术内涵划分为信息光电子技术和能量光电子技术。信息光电子技术，面向低能量密度光信号，高灵敏度探测和高调制带宽助推高速率、高灵敏度、低功耗信息化技术的发展。能量光电子技术是发展更高能量间转换效率的半导体照明及激光等技术、高能量密度下有望催生新物理现象。

　　中国发展宽禁带半导体具有良好的机遇和合适的环境。从消费类电子设备、新型半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信等均对高性能SiC 和GaN 器件有着极大的期待和需求。在节能减排，构筑低碳未来目标的促进下，新能源汽车产业发展突飞猛进。随着各大厂商强势入局，我国电动汽车行业迎来新的一页，在智能化、电子化的大趋势下，汽车电子给整个半导体市场带来新的活力与新的增长点。新能源汽车的发展，有赖于整个汽车半导体供应链的生态协作。博世汽车部件苏州总经理、博世汽车电子中国区总裁Georges Andary带来了“宽禁带半导体，助力推动绿色出行和碳中和”的主题报告，分享了新的发展趋势。

　　现代电子技术对半导体材料提出了高压、高频、抗辐射等新要求，碳化硅凭借其区别于前两代半导体的诸多特性，给半导体行业的发展提供了更多可能性。碳化硅杰出的耐高温等性能，为极端严酷环境下集成电路的使用提供了新的解决思路。瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterlin。