产品特点

　　（以下简称“纳设智能”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。这一消息引起了业界的广泛关注，标志着纳设智能在资本市场迈出了重要一步。

　　纳设智能是一家致力于第三代半导体碳化硅（SiC）外延设备、石墨烯等先进材料制造装备的研发、生产、销售和应用推广的高新技术企业。自2018年10月成立以来，纳设智能始终坚持自主创新，突破了多项关键技术，成功研发出具有国际领先水平的第三代半导体SiC高温化学气相沉积外延设备。

　　这款设备作为第三代半导体SiC芯片生产的核心环节——外延生长的关键设备，具有工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低等优势，是中国首台完全自主创新的SiC外延设备。其成功研发不仅填补了国内市场的空白，也打破了国外技术的垄断，为我国第三代半导体产业的发展提供了有力支撑。

　　经过多年的市场开拓和技术积累，纳设智能在6英寸SiC外延设备领域取得了显著的成绩。截至2023年8月，公司已累计获得10+个客户超过150台设备订单，订单金额累计数亿元。这一成绩充分体现了纳设智能在第三代半导体设备领域的领先地位和强大的市场竞争力。

　　此次纳设智能启动上市辅导备案，是其发展历程中的重要里程碑。通过上市辅导，纳设智能将进一步规范公司治理结构，提高企业的运营效率和盈利能力。同时，上市也将为纳设智能提供更多的融资渠道，加速其技术研发和产品创新的步伐。

　　未来，我们期待看到纳设智能继续发挥其在第三代半导体设备领域的专业优势和创新能力，为我国半导体产业的持续发展做出更大的贡献。同时，我们也相信，随着资本市场的助力，纳设智能将迎来更加广阔的发展前景。

　　衬底厂商产能现状 /

　　生长炉的差异 /

　　行业加速发展 /

　　层：N- drift（轻掺杂），主要作用是承担反向耐压衬底层：N+（重掺杂），呈电阻特性，不具备电压耐受能力阴极金属：Cathode Metal图（2）

　　分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和

　　导通电压比硅快速恢复二极管较低，如果要降低VF值，需要减薄肖特基势垒的高度，但这会使器件反向偏压时的漏电

　　MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下

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　　在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器件（如 TO-247）是将