产品特点

　　整流行为的限制，这使得载流子的调控性受到影响，限制了器件的功能和应用，因此需要对其进行重新配置。

　　为了克服这一挑战，研究人员报告了一种简便的方法，利用GaN基半导体p-n同质结纳米线阵列构建了双极结光电极，展示了由不同光波长控制的双极光响应。通过理论模拟引导，在纯净纳米线的基础上修饰钌氧化物（RuOx）层，所得光电极的正光电流和负光电流分别提高了775%和3000%。钌氧化物层优化了纳米线表面的势垒弯曲，有助于促进GaN/电解质界面的电荷转移，同时提高了氢气和氧气的还原氧化反应效率，从而同时优化正负光电流。最后，他们构建了一个双通道光通信系统，利用仅需一个光电极即可解码具有加密属性的双波段信号。提出的双极性器件架构为操纵载流子动态、开发未来传感、通信和成像系统中的多功能光电子设备提供了可行途径。

　　原文标题：中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用

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　　网的整体结构拓扑图 /

　　漂移区为10-20μm，或大约40-80V/μm。这大大高于硅20V/μm的理论极限。然而，

　　器件目前仍然远远低于约300V/µm的禁带宽度极限，这为未来的优化和改进，留下了巨大的空间

　　(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理

　　（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，

　　比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：

　　中，信息会以光的形式通过光纤传输。在光纤中的光信号可以传输高质量的信息，如高清视频和大量数据。