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杏彩平台注册官网|赛微电子:GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别

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 产品特点

  同花顺300033)金融研究中心03月17日讯,有投资者向赛微电子300456)提问, 董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延材料及器件下游客户是哪些?谢谢

  公司回答表示,您好,GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。谢谢关注!

  已有9家主力机构披露2023-12-31报告期持股数据,持仓量总计428.32万股,占流通A股0.73%

  近期的平均成本为21.74元。多头行情中,上涨趋势有所减缓,可适量做高抛低吸。该股资金方面呈流出状态,投资者请谨慎投资。该公司运营状况尚可,多数机构认为该股长期投资价值较高,投资者可加强关注。