杏彩平台注册官网|振华科技：碳化硅器件覆盖600V～1700V等十余
产品特点
振华科技：碳化硅器件覆盖600V～1700V等十余款型号，氮化镓衬底的功率器件有低压100V系列和高压650V系列
金融界4月9日消息，有投资者在互动平台向振华科技提问：你好，请问贵公司目前第三代半导体碳化硅器件主要有哪些？氮化镓器件主要有哪些？
公司回答表示：公司碳化硅器件有SIC SBD和SIC MOSFET，产品覆盖600V～1700V等十余款型号；氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列。