杏彩平台注册官网|长鑫存储申请半导体结构的形成方法及半导体结构专利能
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金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体结构“，公开号CN117995674A，申请日期为2022年10月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的形成方法包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层的上方形成第一掩膜材料层；对第一掩膜材料层进行至少两次图案化处理，在第一掩膜材料层中形成至少两个掩膜图案，至少两个掩膜图案独立设置，第一掩膜材料层形成为第一掩膜层；根据第一掩膜层刻蚀待刻蚀层，将至少两个掩膜图案转移到待刻蚀层中。在本公开中，通过至少两次图案化处理在第一掩膜材料层中形成至少两个掩膜图案，只需根据第一掩膜层对待刻蚀层执行一次刻蚀处理，即可将至少两个掩膜图案转移到待刻蚀层中，缩短将至少两个掩膜图案转移到待刻蚀层的制程时间，提高转移效率。