杏彩平台注册官网|台积电取得制造半导体器件的方法和场效应晶体管的栅极结构专利实现了制造半导体器件的新方法
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金融界2024年2月24日消息，据国家知识产权局公告，积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法和场效应晶体管的栅极结构“，授权公告号CN113540218B，申请日期为2021年2月。
专利摘要显示，本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和场效应晶体管的栅极结构。场效应晶体管的栅极结构包括第一栅极介电层、第二栅极介电层以及设置在第一栅极介电层和第二栅极介电层上方的一个或多个导电层。第一栅极介电层通过填充有扩散阻挡层的间隙与第二栅极介电层分隔开。