杏彩平台注册官网|台积电取得半导体结构专利半导体结构包括第一p型外延部件、第二p型外延部件、层间介电层、第一接触件及第二接触件
产品特点
台积电取得半导体结构专利，半导体结构包括第一p型外延部件、第二p型外延部件、层间介电层、第一接触件及第二接触件
金融界2024年2月22日消息，据国家知识产权局公告，积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构“，授权公告号CN220510030U，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括第一p型外延部件、第二p型外延部件、层间介电层、第一接触件及第二接触件。第一p型外延部件设置于第一鳍片之上。第二p型外延部件设置于第二鳍片及第三鳍片之上，并跨越第二鳍片及第三鳍片。层间介电层在第一p型外延部件及第二p型外延部件之上。第一接触件延伸穿过层间介电层以电性耦合第一p型外延部件。第二接触件延伸穿过层间介电层以电性耦合第二p型外延部件。其中第一接触件的底表面低于第二接触件的底表面。