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日前，中国科学技术信息研究所发布的2023年中国科技论文统计结果显示，我国热点论文数量世界占比持续增长，占世界总量的45.9%，世界排名保持第一位；高被引论文数量继续保持世界第二位，世界总量占比提升了3.5个百分点。
据了解，近两年间发表的论文在最近两个月得到大量引用，且被引用次数进入本学科前1‰的论文被称为热点论文。各学科论文在2013年-2023年被引用次数处于世界前1%的论文被称为高被引论文。
统计结果显示，截至2023年7月，中国的热点论文数为1929篇，比2022年统计时增加了6.7%，占世界总量的45.9%，世界排名保持第一位。美国的热点论文数为1592篇，居世界第二位。
中国高被引论文数为5.79万篇，占世界总量的30.8%，比2022年统计时提升了3.5个百分点，世界排名保持第二位。美国的高被引论文数为7.66万篇，占世界总量的40.7%，仍居第一位。
有关专家表示，当前，新一轮科技和产业变革深入发展，国际科技竞争向基础前沿前移，实现高水平科技自立自强，迫切需要加强基础研究。科技论文是基础研究的重要产出之一，应正确看待其在科技评价体系中的作用，引导科研人员发表高质量学术成果，持之以恒加强基础研究，破解经济社会发展中的关键核心技术难题。
9月25日消息，据报道，特斯拉发布了其首款人形机器人“擎天柱”（Optimus）的最新进展。在最近一次更新中，该公司指出，该机器人现在能够自主分类物体，并完成瑜伽动作。
据悉，“擎天柱”在2021年8月举办的特斯拉AI Day活动上首次亮相。2022年10月，特斯拉CEO埃隆·马斯克在特斯拉AI Day上正式介绍了“擎天柱”。自2021年首次发布以来，该机器人已经取得了长足的进步。
这款机器人将采用特斯拉的全自动驾驶（FSD）系统以及与汽车一样的视觉感知，使用摄像头输入数据，以神经网络进行计算。
马斯克称，“擎天柱”的身高为5尺8寸（约173公分），重125磅（约56公斤），行走速度为每小时5英里（约时速8公里），最多可提45磅（约20公斤）的物品，并且头部会配有一块屏幕，以便使用者可以获取有用的信息。
在今年5月16日举行的2023年年度股东大会上，马斯克分享了“擎天柱”的新视频，展示了该机器人执行更复杂任务的情景，如行走，探测新环境并记住环境，拿起、举起和放下东西等等。
他重申，该机器人将使用与该公司电动汽车相同的FSD系统。与此同时，他预计，“擎天柱”的数量将远远超过特斯拉汽车。
在2022年8月初举行的特斯拉股东大会上，马斯克曾表示，从长期看，“擎天柱”机器人将比汽车更有价值，将会彻底改变经济。2022年8月中旬，他声称，特斯拉的人形机器人未来可能比汽车更便宜。
马斯克曾表示：“特斯拉机器人最初的定位是替代人们从事重复、枯燥、具有危险性的工作，但远景目标是让其服务于千家万户，比如做饭、修剪草坪、照顾老人等。”
上周六，特斯拉的“擎天柱”账户在X上分享称，该机器人现在可以利用端到端训练有素的神经网络自主分类物品。
该账号还分享了一段视频，展示了该机器人进行自我校准和将彩色方块分类放入各自托盘的过程。值得注意的是，该机器人可以在动态环境中执行任务。
此外，视频还展示了特斯拉机器人的平衡和灵活性，因为它做了一些需要单腿站立并伸展四肢的瑜伽姿势。这些姿势与任何实际工作负载无关，但展示了该机器人如何控制其身体并保持其稳定性。
二维半导体是集成电路工艺发展到1 nm节点最受关注的新路径。虽然国际工业界认为引入二维半导体可以在CMOS平面工艺中有效解决晶体管尺寸缩放过程中的问题，但其重要发展瓶颈之一在于需要提供高质量、快速生产的大规模晶圆。迄今为止，世界上主要的头部企业例如英特尔，三星，台积电和欧洲的IMEC研发中心都在二维半导体上投入了大量资源，并积极引入国际领军团队。当前研究人员开发了多种策略来制备大面积二维半导体，其中化学气相沉积（CVD）是普遍看好的技术。但是主要研究更多注重实验室级别的性能（Performance）提升，并没有充分考虑材料生长的规模（Scale）和成本（Cost）。
北京时间2023年9月29日，复旦大学周鹏-包文中团队取得重大研究进展，发明了一种面向集成电路制造的二维材料生长方法，能够在工业界主流12英寸（300毫米）晶圆上进行均匀和单层材料的快速生长，相关成果以“12-inch growth of uniform MoS2 monolayer for integrated circuit manufacture”为题发表于国际期刊《自然·材料》（Nature Materials）。这项工作不仅提供了二维材料CVD生长的新思路，实现了从0到1的突破；同时也聚焦二维半导体的集成电路应用，充分考虑了规模-成本-性能（S-C-P）指标的协同优化，着眼于从1到10的转化。
传统二维材料CVD生长的难点在于原子级的精准可控与批次重复性，这需要对诸多控制参数进行协同优化，包括生长衬底的特殊处理。此成果开创性的采用了海绵缓释结构的前驱体设计，以及流体动力学优化的多硫源分布，从而实现了二维材料的准静态生长；同时在任意衬底（包括硅）通过原子层沉积生长特殊缓冲层，精确控制均匀单层成核，最终获得了大面积二维半导体均匀生长技术，并且对于多种二维半导体均可适用，在15分钟就可快速实现12英寸晶圆内低缺陷的二维单层全覆盖。得益于能够在任意衬底上进行生长，研究者还展示了绝缘体上硅（SOI）的晶圆结构流程制作晶体管阵列，避免了复杂转移方法。本成果展示的绝缘体上二维材料（2D-OI）具有原子级的半导体沟道，在先进制程中可以充分发挥二维半导体的优势。此外材料表征结果证明，生长的二维薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶晶界并没有直接关联，统计结果显示了优异的器件电学均一性。这些发现为二维半导体提供了从实验室向产业界过渡的发展路径。
该工作得到了复旦大学张江国际创新中心、国家自然科学基金委，上海市科学技术委员会，国家重点研发项目资助。
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