产品特点

　　第三代半导体是指化合物半导体，包括SiC(碳化硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁带半导体材料（导带与禁带间能隙差Eg2.3eV），具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。

　　第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，主要应用在光电子、电力电子和射频芯片三大领域，其中光电子器件包括LED、激光器、探测器等，电力电子器件包括二极管、MOSFET等；微波射频器件包括PA、LNA和滤波器等。

　　华经产业研究院对中国第三代半导体行业发展现状、行业上下游产业链、竞争格局及重点企业等进行了深入剖析，最大限度地降低企业投资风险与经营成本，提高企业竞争力；并运用多种数据分析技术，对行业发展趋势进行预测，以便企业能及时抢占市场先机；更多详细内容，请关注华经产业研究院出版的《2022-2027年中国第三代半导体行业市场调查研究及发展战略研究报告》。

　　6.4.1应用整体技术路线电网应用技术路线电力牵引应用技术路线电动汽车应用技术路线家用电器和消费类电子应用