产品特点

　　倒装芯片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片

　　倒装LED芯片，通过MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构层，由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni- Au组成的金属电极层。

　　P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄。为此，器件的发光效率就会受到很大影响，通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。

　　但无论在什么情况下，金属薄膜的存在，总会使透光性能变差。此外，引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。 采用GaN LED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。

　　1. 制备芯片晶圆：LED倒装芯片的制备始于制备芯片的硅晶圆。晶圆通常是通过晶体生长技术，在高温高压的条件下生长出具有所需电特性的半导体材料，如氮化镓（GaN）。

　　2. 制造LED结构：通过光刻工艺，将各种光蚀胶层覆盖在晶圆表面，并使用掩膜将胶层部分曝光于紫外线下。然后，通过化学湿法腐蚀或物理刻蚀技术，将未曝光的部分胶层移除，以形成LED结构。

　　3. 形成金属电极：使用金属蒸镀或其他金属沉积技术，在LED芯片的正反两面形成电极，以提供电流输入和输出的通道。通常，正电极由金属铜、金或铝制成，而负电极使用金属镍制成。

　　4. 划线切割：使用刻划或其他切割工艺，将芯片晶圆划分成单个的LED芯片。这些分离的芯片可进一步用于后续封装步骤。

　　5. 倒装和金线键合：将LED芯片倒置放置在支撑材料上，通常使用胶水或其他粘合剂固定。然后，在芯片的金属电极和封装基板之间，使用微细金线进行键合连接。键合过程中需要控制金线的长度和位置，以确保电路连接的可靠性和稳定性。

　　6. 封装：将倒装的LED芯片与封装基板结合，通过压合或其他封装技术，将芯片完全封装在透明的封装胶体中。封装胶体通常是透光的，以保护芯片并确定光的传播路径。

　　7. 测试和分类：完成封装后，对倒装LED芯片进行测试和分类。测试步骤通常包括电流-电压特性测试、Luminous Flux（发光通量）测试、颜色参数测试等。根据测试结果，将芯片分为不同的亮度和颜色级别。

　　8. 制备成品LED器件：经过测试和分类后，将LED倒装芯片组装到LED灯珠、LED显示屏、LED模组或其他设备中，形成最终的LED器件产品。

　　LED倒装芯片和正装芯片是两种常见的LED芯片封装方式，它们之间存在一些差别。以下是它们的主要区别：

　　1. 接线方式：LED倒装芯片的接线脚位朝上，而正装芯片的接线脚位朝下。这意味着在电路板上安装时，LED倒装芯片的焊盘与电路板接触，而正装芯片的焊盘朝上。

　　2. 光散射效果：由于安装方式不同，LED倒装芯片与电路板之间无透明封装物，使得光线从倒装芯片的底部散射出来，产生较广泛的光散射效果。而正装芯片则通过封装材料进行光的遮挡和散射，因此光线主要从芯片的顶部辐射出来。

　　3. 视觉效果：由于光散射的差异，LED倒装芯片在不使用附加光散射装置的情况下，可以提供更宽广的发光角度。这导致在特定应用场景下，如发光字、指示灯等，使用LED倒装芯片能够产生更加均匀的光照效果。正装芯片通常更适合需要较为集中的光照效果，如聚光灯等应用。

　　LED倒装芯片和正装芯片在其他方面，如颜色、亮度、功耗等方面并无本质区别。选择哪种封装方式应根据具体应用需求和光学效果来决定。

　　产能不断扩产，封装行业已经步入微利时代，许多企业为了抢夺客户大打价格牌，激烈的价格竞争和无序的业内生态链促使行业开始需求新的封装工艺。而具有提升发光效率以及提高散热能力等优势的

　　对较小外形和较多功能的低成本电子设备的需求继续在增长。这些快速变化的市场挑战着电子制造商，降低制造成本以保证可接受的利润率。

　　的优点 /

　　知识详解（全） /

　　的出光效率高、散热条件好、单位面积的出光功率大、可靠性高、批量化制造成本低和能够承受大电流驱动等一系列优点，使得

　　多采用导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连，且本身支架基座通常为导热系数较高的铜材.

　　差别 /

　　经过紧张的网络投票，兆元光电、晶元光电、兆驰半导体3家企业凭借较高票数成功入围。针对以上3家入围企业，高工

　　与技术 /

　　【米尔-全志T113-i开发板试用】JPG硬件编码的实现、YUV转换neon加速和对比测试