产品特点
进入2024年以来，MIP（Micro LED in Package）封装的Micro LED直显产品热度迅速升温。不完全数据显示，MIP LED直显产品型号，2024年春季同比增幅超10倍。有业内人士表示，室内小间距LED显示需求，到2026年 Micro LED市场规模有可能追平Mini LED产品规模。这其中，Micro LED利用MiP封装工艺的进步，将是重要助力。
MIP类封装芯片的最大竞争优势有三个，包括对巨量转移良率和高精度修复的友好、对Micro LED新规格芯片的友好、以及对成熟的终端集成工艺的友好。尤其是后者，成为了其核心竞争力：
其中，典型的0404、0606、1010MIP等灯珠产品，可以很好的兼容SMD表贴工艺。即对目前产业中二三线企业普遍依赖的传统工艺、设备和技术无缝衔接。这减少了将Micro LED技术快速引入到下游终端产品中的“中下游”投资和技术难度，扩大了应用市场拓展的基本面，并赋予二三线LED直显企业利用已有技术和设备，进入P1.0以下产品和Micro LED时代的“同等竞争机遇”。
另外，0202、0404MIP封装灯珠产品，不仅可以采用SMD表贴工艺，更是可以兼容既有的COB技术、COG技术工艺。特别是将Micro LED的裸芯，50微米以下的尺寸、对PCB需求50微米以下线微米以上的封装灯珠尺寸、50-100微米的PCB线宽需求——这种转化，等于利用此前已经开发并量产的Mini级别LED芯片终端集成工艺和设备，既可以处理0202等MIP灯珠产品的集成加工。
目前，小间距LED显示先进产品以处理Mini级别的芯片为主要的成熟制程.无论是SMD、COB，还是COG都可以依托MIP封装技术，实现用Mini的终端工艺处理Micro级芯片灯珠的跨代升级。
同时，通过MIP封装应用Micro级芯片可以获得更低的像素晶圆成本、COB等工艺前的灯珠筛选、COB等不用分次处理RGB芯片，而是一次完成RGB灯珠集成……进一步提升了COB过程的良率、可靠性和灰度一致性，并降低了流程复杂度和成本。业内人士认为，0202的MIP封装或成为COB产品再次进化增效的利器。
“Micro LED应用的最大难度就是颗粒尺寸太小，进入到10微米级别；这对于传统的善于处理毫米级别器件的LED直显产品很不友好——MIP的核心优势就在于，通过一次灯珠封装，将10微米级别的器件，拉回到毫米或者亚毫米级别：MIP就是Mini技术的难度，Micro级别的产品的中间桥！”
行业研究认为，MIP方案，将Micro LED技术的未来进步与变化，隔离在晶圆、外延、裂片、封装等前部产业链环节；而包括P0.3等常规彩电级别的LED大屏下游和终端集成，则可依赖既有技术不断完善即可。这极大的保障了下游产业链工艺和资源的持续性，降低了产业链持续投资成本，极有利于新的上游技术快速落地。
2023年MIP的主流规格是0404，2024年这一规格已经向0202产品延伸。量产0202产品，更好的向P0.3X到P0.9应用市场提供Micro LED产品，这成为主流行业玩家的共同目标。0202也是MIP器件中对COB兼容性更佳的选择。
同时，2024年无衬底MIP产品也成为了研发重点。例如，2024年2月，国星光电申请了公开号CN2.5的名为“一种超薄LED芯片的制备方法及超薄LED芯片”的专利，即是一种无衬底荧光粉芯片方案。无衬底被认为是继倒装工艺之后，LED产业芯片封装进一步挖潜发光效率,提升亮度、散热性能和有效延长使用寿命的非材料性进步工艺。但是，无衬底工艺，增加了“衬底剥离”环节，对于已经困于巨量转移的良品率和巨大操作量的Micro LED而言，并不容易落地。
而采用MIP封装方案后，其对巨量转移成品率的要求要低一个数量级，可以在显示集成前做像素级的品控筛选，进而对于无衬底技术的应用提供了更宽的工艺空间。
此外，2024年以来MIP固晶良率进一步提升。业内企业表示，RGB三原色0404产品固晶良率可达到5个9。且作为独立器件，RGB MIP在此后的测试环节，主要是进行一致性筛选和不良剔除，其不需要Micro LED-COB工艺中，对缺陷的修复。在此后的终端制备中，亦只需要百微米级别的修复工艺和设备，不需要十微米级别器件的高精度修复设备与工艺。——即整体的良率提升和修复工艺友好性，保障了MIP未来向低成本演进的可能性。
“封装规格更小、无衬底技术带来更好光效、更高良率、更小的Micro LED芯片……”2024年来，MIP的进步速度依然惊人。这也驱动了更多行业企业对MIP的扩产热情。
进入2024年以来，行业加速MIP产品量产进程。推动更多新兴MIP应用产品落地成为行业头部企业共识：
例如，近期芯映光电展示了采用MiP0202器件制作的Micro LED P0.9 2K显示屏，并表示0202产品已经实现量产。据悉，芯映光电湖北项目，主要是支持三安等上游芯片产能的封装需求，占地面积300亩，建筑面积达40万平方米，总投资80亿元，建成后将形成Mini/Micro LED新型显示器件50000KK/月产能。
国星光电年初表示，针对不同LED显示点间距与应用需求,将旗下MIP产品划分为了MIP-IMD与MIP-CHIP两大方向。其RGB器件事业部现已达成MIP产品1000KK/月产能规模,有力承接Micro LED/Mini LED时代高质量发展拓展需求。
“虽然投产产能有限，但是未来扩张动力十足。”行业分析认为，MIP已经进入产能比拼的新发展阶段。抢占产能优势，进而通过技术工艺的逐渐成熟、规模效益等，拉低MIP产品综合成本，是未来三、五年内LED直显行业竞争的一大中心点。业内企业预测3年左右，MIP产品的成本渴望在同等微间距下低于传统灯珠产品。
2023年之前是技术打通、2023年实现量产流程打通、2024年进入产能竞赛阶段……MIP的发展正在迎来日益“激烈”的全面较量期。作为Micro LED产品目前最容易成熟落地的方案，MIP在大屏LED显示市场即将迸发出怎样的能量，值得长期关注。
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