产品特点
照明是运用多种光源来照亮工作、生活场所或特定物体的方法。根据光源的来源，可以将其分为两类：利用自然光源如太阳和天空的称为“天然采光”；而利用人工光源的被称为“人工照明”。
照明的首要目标是创造良好的视觉可见度和令人感到舒适愉悦的环境，供足够的照度以满足人们的需求（一般照明）、强调特定特征以便识别（道路照明、广告标识等）、强调建筑物等（建筑照明、重点照明等）、创造舒适的光环境（家庭照明等）、营造特定氛围（商业舞台照明）以及满足其他特殊目的（生化实验、医疗、植物栽培等）。
进入21世纪后，白光LED得到了快速发展，其节能灯发光效率大幅提高，远超过传统白炽灯，逐渐逼近荧光灯。随着材料技术、芯片尺寸和外观工艺的进一步发展，商用LED灯的光通量提高了数十倍。过去微弱发光的LED正预示着LED灯的全新时代即将到来。
LED（Lighting EmittingDiode）照明是一种使用发光二极管的照明技术，它是一种半导体固态发光器件。LED利用固态半导体芯片作为发光材料，当半导体中的载流子发生复合时，会释放出过剩的能量，从而导致光子的发射。这些光子直接产生红、黄、蓝和绿色的光。基于三基色原理，通过添加荧光粉，LED可以发出各种颜色的光。
根据初步数据，我国照明相关企业数量在十三五规划期间突破了2万家。这些企业呈现出蓬勃发展的态势，不断增强着经济实力。随着LED技术成熟和灯珠成本降低、性价比逐渐提高，LED产品在各种下游应用领域渗透率提升，中国LED照明市场规模逐年上涨，2021年市场规模达10227亿元，同比增长15.13%，预计2023年市场规模将达12130亿元。在LED照明应用市场的快速增长推动下，中国的市场需求也呈增长趋势。据统计，中国LED驱动电源产值由2016年198亿元增长至2022年的434.6亿元。预计2023年LED电源市场规模477亿，CACR为9%。
将ACDC转换与LED驱动两部分电路整合在一起，均位于照明灯具内，省下了LED光条中集成的线性或DC-DC转换器。这种整体式方案的电源转换段更少，减少元器件使用数量(如光学元件、LED.电子元件及印制电路板等) 、降低系统成本，并支持更高的LED电源总体能效。 小功率LED驱动电源采用单级PSR Flyback电路，要求HVMOSFET的EMI特性好、EAS能力强。分享一个案例：
大功率LED区域照明应用中，一种常见的电源架构是“功率因数校正 (PFC) +恒压(CV) 流(CC)”的三段式架构。这种架构的设计提供了能够现场升级的模块化途径，可根据实际需求，灵活改变LED光条数量，从而增加或减小光输出，满足具体区域照明应用要求。这种架构下，交流-直流 (AC-DC) 转换与LED驱动电路并未集成在一起，而是采用分布式配置，既简化安全考虑又增强系统灵活性，也称作分布式方案，典型应用包括线性灯及线槽灯等。
PFC+QR反激，第一级PFC电路，要求内阻小，电路启动时，冲击电流较大，要求MOSFET有较强的EAS能力；初级MOS要求开关的速度是适中，EMI特性好。
业界对超高能效的LED照明拓扑结构兴趣日浓，期望在更大功率的100 W至250 W LED区域照明应用中提供高能效(如高于90%)。要提供这样高的能效，需要采用高能效的电源拓扑结构，如谐振半桥双电感加单电容(LLC) 拓扑结构，从而充分发挥零电压开关 (ZVS) 的优势。 PFC+LLC拓扑，第一级PFC电路，要求内阻小，电路启动时，冲击电流较大，要求MOSFET有较强的EAS能力；后级LLC谐振电路，要求MOSFET的Body Diode具有较强的di/dt能力，较小的Qrr。LED照明市场应用，龙腾半导体的高压SJ MOS，其产品优势：1.针对PFC拓扑，优化EAS，增强抗雪崩能力、增强抗浪涌能力；
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也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅
MOS NCE08N608A 600V内阻600豪欧封装TO-220 TO-251TO-252
是运用多种光源来照亮工作、生活场所或特定物体的方法。根据光源的来源，可以将其分为两类：利用自然光源如太阳和天空的称为“天然采光”；而利用人工光源的被称为“人工
大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器 件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的
，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压
（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑（PLC）
，采用深沟槽填充将其与之前的基于多epi的技术区分开来的过程。通过利用这种先进的技术和精确的过程控制，SupreMOS
400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
－ 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献，多次提到“因为内置超级
关断的过程中沟道具有提前关断的特性，因此，它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制，但是，并不是所有的
通常由PWM或模式的IC内部的驱动源来驱动，为了提高关断的速度，实现快速的关断降低关断损耗提高系统效率，
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，是英文Super Junction 的直译，而英飞凌之前将这种技术称之为CoolMOS。因而
温）之间的现有关系为变化，因为观察到 Lss 上的电压发生了变化。由于 SiC
Lss 之间存在寄生电感，最终会通过电压的上升来反映，因此存在电压以同步方式突然升高的高端可能性。
快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS（on）x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。
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-RMX65R系列，该系列采用业内先进的多层外延工艺，全面提升了器件的开关特性和导通特性，比导通电阻（Ronsp）和栅极电荷（Qg）更低，开关速度更快，
，仍然存在差距，无法完全而快速地了解供应商提供的仿真模型是否在给定的应用空间中准确地代表了设备。 与竞争模型不同，飞兆半导体的
和IGBT SPICE模型基于适用于整个技术平台的一个物理可扩展模型，而不是针对每种器件尺
作者：Sanjay Havanur，Vishay Siliconix公司 自从30多年前首次推出以来，
保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、
器件。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7
的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。
的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。
的高开关速度自然有利于减少开关损耗，但它也带来了负面影响，例如增加了EMI、栅极振荡、高峰值漏源电压。
栅极驱动设计中，一个关键的控制参数就是外部串联栅电阻（Rg）。这会抑制峰值漏-源电压，并防止由功率
（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。
产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设